V.<br>の英語

Resistivity p (Ω.cm) of a voltage base layer of a longitudinal semiconductor with a dielectric strength V_br (V) lies in the range such that -5.34+0.0316 V_bf<ρ<-1.86+0.0509 V_br.例文帳に追加

耐圧Ｖ_br（V ）の縦型半導体装置の電圧支持層の抵抗率ρ（Ω・cm）を、 -5.34 ＋0.0316Ｖ_br＜ρ＜-1.86 ＋0.0509Ｖ_br で定まる範囲とする。 - 特許庁

{εE_c/μ_ch} is an element determined by a material, and others are constants for structure design and circuit design.例文帳に追加

τ_oss={(L_g L_pitch)/Q_ch}×{ε E_c /μ_ch}/√(V_cc V_br) [s] ・・・・（式１）（但し、L_gはゲート長、L_pitchは単位セルのピッチ幅、μ_chはチャネルの電子移動度、Q_chは界面に誘起される電子の電荷密度、εは誘電率、E_cは電界強度,V_ccは主回路のDC電源電圧、Vbrは素子の耐圧である。{ε E_c /μ_ch}は材料で決まる要素であり、他は構造設計と回路設計の定数である。） - 特許庁